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第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收監(jiān)測(cè)報(bào)告表

江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司租賃江北新區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)化基地B區(qū)5號(hào)樓A座已建廠房，利用碳化硅單晶制備、切割、研磨、拋光及晶體、晶片檢測(cè)儀等設(shè)備，建設(shè)碳化硅晶體生長(zhǎng)及加工生產(chǎn)線，項(xiàng)目建成后形成年產(chǎn)碳化硅襯底3萬片的生產(chǎn)能力和規(guī)模。該項(xiàng)目于2024年5月28日取得《關(guān)于第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化環(huán)境影響報(bào)告表的批復(fù)》（寧新區(qū)管審環(huán)表復(fù)〔2024〕42號(hào)）。項(xiàng)目于2024年5月開始生產(chǎn)車間施工裝修、設(shè)備安裝與調(diào)試。2024年7月工程竣工，并開始試生產(chǎn)。目前工程能夠穩(wěn)定運(yùn)營(yíng)。

根據(jù)相關(guān)規(guī)定主動(dòng)公開建設(shè)項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收監(jiān)測(cè)報(bào)告表全本。公示內(nèi)容：竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收監(jiān)測(cè)報(bào)告表、驗(yàn)收意見。自公示發(fā)布日起，20個(gè)工作日止。

公示附件：第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收監(jiān)測(cè)報(bào)告表、超芯星竣工環(huán)境保護(hù)自主驗(yàn)收意見 提取碼: 5h9n